威刚表示DRAM与NANDFlash预期合约价可望于7月跟进落底-电子发烧友网

存储器模组厂威刚看好动态随机存取存储器（DRAM）与储存型快闪存储器（NAND Flash）合约价，可望于 7 月落底，并乐观预期第 3 季营收与获利可展现旺季水准。

威刚认为，日韩两国纷争短期可能不易平息，在日本加强管制光阻剂等 3 项电子关键材料出口南韩下，全球存储器供应链将面临无法如期全产能量产运作的压力，DRAM 与 NAND Flash 价格将欲小不易。

因 DRAM 供应端仅存三星（Samsung）、SK 海力士（Hynix）与美光（Micron）三大供应商，新增产出相对有限。需求端方面，大型资料中心库存已降至合理水位，可望于第 3 季底重启备货，智能手机与电脑需求也将回温。

NAND Flash 部分，下游通路库存水位也偏低。威刚表示，DRAM 与 NAND Flash 现货价已同步在 6 月落底，预期合约价可望于 7 月跟进落底。

威刚透露，已抢在存储器价格反弹前备妥适当库存，可确保重要客户不致面临断货危机，业绩也可望逐步发酵，第 3 季营运表现将明显优于上半年，营收与获利将可展现旺季水准。

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